产品展示
| 基本半导体混合碳化硅分立器件将新型场截止IGBT技术和碳化硅肖特基二极管技术相结合，为硬开关拓扑打造了一个兼顾品质和性价比的方案。该器件将传统的硅基IGBT和碳化硅肖特基二极管合封，在部分应用中可以替代传统的IGBT （硅基IGBT与硅基快恢复二极管合封），使IGBT的开关损耗大幅降低，适用于储能（ESS）、车载充电器（OBC）、不间断电源（UPS）、光伏组串逆变器等领域。 |
| Part Number | BV | IC | VCE (sat) | VF | Eon | Eoff | Package Name |
| (V) | (A) @100℃ | (V) | (V) | (mJ) | (mJ) | ||
| BGH50N65HF1 | 650 | 50 | 1.55 | 1.42 | 0.27 | 0.49 | TO-247-3 |
| BGH50N65ZF1 | 650 | 50 | 1.5 | 1.42 | / | / | TO-247-4 |
| BGH75N65HF1 | 650 | 75 | 1.63 | 1.42 | / | / | TO-247-3 |
| BGH75N65ZF1 | 650 | 75 | 1.63 | 1.42 | / | / | TO-247-4 |
| BGH40N120HF | 1200 | 40 | 1.7 | 1.41 | 1.8 | 1.34 | TO-247-3 |
